东微半导(688261)：高性能功率器件技术创新引领者 新品放量打开成长天花板

　　投资要点

    　　高性能功率器件技术创新引领者，新品放量打开成长天花板。公司重视底层器件结构创新，持续丰富产品矩阵，目前已覆盖高压超级结MOSFET、中低压屏蔽栅MOSFET、超级硅MOSFET、TGBT、SiC 器件等产品。下游应用领域包括以车载、直流充电桩、光伏逆变器、工业及通信电源为代表的工业级应用领域，以及以手机快速充电器、电源为代表的消费电子应用领域。受益新能源市场需求高增，公司营收持续快速增长，22 全年、23Q1 营收分别为11.2 亿元、3.0 亿元，同增43%、47%。盈利能力方面，受持续进行技术迭代、产品组合结构调整及涨价等综合因素影响，同时通过数字化手段不断提升运营效率，公司毛利率、净利率持续提升。

    　　MOSFET：高压MOSFET 市场快速增长，公司产品性能比肩国际龙头。

    　　伴随车载OBC、充电桩等下游高压领域需求增长，高压MOSFET 将迎快速增长，根据电子发烧友，2021 年全球中低压（<400V）和高压MOSFET（>400V）市场规模分别约71 亿美元、42 亿美元，21-26 年全球中低压、高压MOSFET 市场规模CAGR 分别约4%、12%。公司超级结MOSFET 产品性能国内领先、超级硅MOSFET 产品性能国际先进，并持续扩大高压超级结MOSFET 在光伏逆变、储能应用、UPS 领域的业务，成功替换IGBT 并且明显提升系统效率，出货呈现迅速增加态势，未来有望深度受益下游大客户需求高增长。

    　　IGBT&SiC：新能源市场拉动需求增长，公司积极布局。公司独创Trigate结构 IGBT 器件，性能国际领先，批量进入光伏逆变及储能、车载充电机、直流充电桩等领域头部客户供应链，并在新能源汽车主驱应用领域进入认证阶段。22 年在SiC 二极管、SiC MOSFET 及Si2C MOSFET器件上取得较大研发进展，其中Si2C MOSFET 进入批量生产阶段、首次实现营收，实现对采用传统技术路线的SiC MOSFET 的替代。

    　　盈利预测与投资评级：公司是高性能功率器件技术创新引领者，新品放量打开成长天花板。基于此，我们预计公司23-25 年归母净利润为3.9/5.2/6.7 亿元，当前市值对应PE 分别为32.8/24.6/19.0 倍，首次覆盖给予“买入”评级。

    　　风险提示：代工产能增长不及预期；功率半导体市场竞争加剧的风险；下游需求不及预期的风险。